Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2371EDS-T1-BE3
SI2371EDS-T1-BE3

SI2371EDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2371eds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2371EDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI2371EDS-T1-BE3 за ціною від 4.52 грн до 32.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2371EDS-T1-BE3 SI2371EDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2371eds.pdf MOSFETs SOT23 P CHAN 30V
на замовлення 135793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.09 грн
21+16.67 грн
100+10.23 грн
1000+6.84 грн
3000+4.71 грн
9000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3 SI2371EDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2371eds.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
15+21.46 грн
100+13.33 грн
500+9.54 грн
1000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2371eds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.66 грн
9000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2371EDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2371eds.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.02 грн
9000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.