на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2371EDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2371EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2371EDS-T1-GE3 за ціною від 4.63 грн до 32.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V |
на замовлення 15202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs SOT-23 |
на замовлення 708411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2371EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2371EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.8 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.8A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.8A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |