SI2374DS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.70 грн |
| 16+ | 18.84 грн |
| 100+ | 11.91 грн |
| 500+ | 8.38 грн |
| 1000+ | 7.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2374DS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc).
Інші пропозиції SI2374DS-T1-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2374DS-T1-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT23 N-CH 20V 4.5A |
на замовлення 15822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |