Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2374DS-T1-BE3
SI2374DS-T1-BE3

SI2374DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2374ds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.16 грн
16+19.11 грн
100+12.09 грн
500+8.50 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2374DS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI2374DS-T1-BE3 за ціною від 5.72 грн до 33.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2374DS-T1-BE3 SI2374DS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2374ds.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 20V 4.5A
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.60 грн
16+20.21 грн
100+11.16 грн
500+8.37 грн
1000+7.46 грн
3000+6.21 грн
6000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3 SI2374DS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2374ds.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-BE3 Виробник : VISHAY si2374ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.7A; Idm: 25A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 4.7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 25A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.