на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2374DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2374DS-T1-GE3 за ціною від 4.71 грн до 41.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V |
на замовлення 30303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 154352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|