Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2374DS-T1-GE3
SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2374ds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.48 грн
6000+6.54 грн
9000+6.20 грн
15000+5.46 грн
21000+5.25 грн
30000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2374DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI2374DS-T1-GE3 за ціною від 6.08 грн до 37.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 Vishay si2374ds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
756+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 756 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; Idm: 25A; 1.1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 4.7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 25A
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.59 грн
44+9.58 грн
50+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2374ds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
на замовлення 75568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.78 грн
16+20.12 грн
100+12.75 грн
500+8.96 грн
1000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2374ds.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 171423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.76 грн
15+21.60 грн
100+11.87 грн
500+8.87 грн
1000+7.96 грн
3000+6.63 грн
6000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.31 грн
50+22.73 грн
100+14.42 грн
500+9.99 грн
1500+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
SI2374DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
756+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 756 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
SI2374DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; Idm: 25A; 1.1W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 4.7A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 25A
на замовлення 1705 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+32.59 грн
44+9.58 грн
50+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
SI2374DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
на замовлення 75568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.78 грн
16+20.12 грн
100+12.75 грн
500+8.96 грн
1000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
SI2374DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 171423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+35.76 грн
15+21.60 грн
100+11.87 грн
500+8.87 грн
1000+7.96 грн
3000+6.63 грн
6000+6.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
SI2374DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+37.31 грн
50+22.73 грн
100+14.42 грн
500+9.99 грн
1500+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.