SI2374DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.56 грн |
| 6000+ | 6.61 грн |
| 9000+ | 6.26 грн |
| 15000+ | 5.52 грн |
| 21000+ | 5.30 грн |
| 30000+ | 5.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2374DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.
Інші пропозиції SI2374DS-T1-GE3 за ціною від 8.08 грн до 34.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2374DS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI2374DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; Idm: 25A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V |
на замовлення 70016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI2374DS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 160477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SI2374DS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 6696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 6696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.7W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI2374DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 898+ | 15.65 грн |
| 997+ | 14.11 грн |
| SI2374DS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; Idm: 25A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; Idm: 25A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 18.63 грн |
| 30+ | 14.00 грн |
| 50+ | 11.20 грн |
| 100+ | 10.21 грн |
| 500+ | 9.14 грн |
| SI2374DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
на замовлення 70016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 34.64 грн |
| 15+ | 20.31 грн |
| 100+ | 12.88 грн |
| 500+ | 9.06 грн |
| 1000+ | 8.08 грн |
| SI2374DS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 160477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI2374DS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 6696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2374DS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 6696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2374DS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)