SI2374DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.56 грн |
| 6000+ | 6.61 грн |
| 9000+ | 6.27 грн |
| 15000+ | 5.52 грн |
| 21000+ | 5.31 грн |
| 30000+ | 5.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2374DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI2374DS-T1-GE3 за ціною від 6.07 грн до 37.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; Idm: 25A; 1.1W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC On-state resistance: 41mΩ Power dissipation: 1.1W Drain current: 4.7A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 25A |
на замовлення 1705 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V |
на замовлення 85050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 171423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2374DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |