Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2377EDS-T1-BE3
SI2377EDS-T1-BE3

SI2377EDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2377eds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.57 грн
12+26.58 грн
100+15.96 грн
500+13.87 грн
1000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2377EDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.4A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI2377EDS-T1-BE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2377EDS-T1-BE3 SI2377EDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2377eds.pdf MOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.7A
на замовлення 16480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.