| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.61 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2377EDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm.
Інші пропозиції SI2377EDS-T1-GE3 за ціною від 10.06 грн до 55.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2377EDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.5A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 61mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2898 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3 |
на замовлення 9613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2377EDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 24672 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2377EDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm |
на замовлення 6140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SI2377EDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm |
на замовлення 6140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.00 грн |
| 9000+ | 10.06 грн |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.26 грн |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.30 грн |
| 6000+ | 14.14 грн |
| 9000+ | 12.98 грн |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.42 грн |
| 6000+ | 14.25 грн |
| 9000+ | 13.09 грн |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.49 грн |
| 6000+ | 14.91 грн |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.49 грн |
| 6000+ | 14.91 грн |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 508+ | 28.85 грн |
| 570+ | 25.70 грн |
| 1000+ | 24.06 грн |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 50.29 грн |
| 19+ | 22.92 грн |
| 20+ | 21.31 грн |
| 67+ | 14.60 грн |
| 184+ | 13.84 грн |
| 1000+ | 13.41 грн |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
на замовлення 9613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 52.37 грн |
| 10+ | 30.87 грн |
| 50+ | 22.53 грн |
| 100+ | 18.60 грн |
| 500+ | 14.12 грн |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 24672 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.83 грн |
| 13+ | 24.75 грн |
| 100+ | 18.96 грн |
| 500+ | 14.37 грн |
| 3000+ | 10.98 грн |
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI2377EDS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
на замовлення 6140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)