на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2377EDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI2377EDS-T1-GE3 за ціною від 9.65 грн до 53.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2377EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2377EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2377EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2377EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2377EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2377EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.5A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 On-state resistance: 61mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate-source voltage: ±8V |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2377EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V |
на замовлення 16891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2377EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.5A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 On-state resistance: 61mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2377EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 38300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SI2377EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SI2377EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |