SI2377EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix


si2377eds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2377EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V.

Інші пропозиції SI2377EDS-T1-GE3 за ціною від 9.23 грн до 48.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2377eds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.78 грн
11+27.87 грн
100+17.91 грн
500+12.77 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2377eds.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 12743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.84 грн
11+30.96 грн
100+17.27 грн
500+13.18 грн
1000+11.77 грн
3000+10.08 грн
6000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.78 грн
11+27.87 грн
100+17.91 грн
500+12.77 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 12743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.84 грн
11+30.96 грн
100+17.27 грн
500+13.18 грн
1000+11.77 грн
3000+10.08 грн
6000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.