Продукція > VISHAY > SI2377EDS-T1-GE3
SI2377EDS-T1-GE3

SI2377EDS-T1-GE3 Vishay

si2377eds.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2377EDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI2377EDS-T1-GE3 за ціною від 11.81 грн до 48.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 Vishay si2377eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 Vishay si2377eds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY SI2377EDS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.6nC
Version: ESD
на замовлення 4055 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.32 грн
14+32.34 грн
20+27.77 грн
100+18.96 грн
200+16.34 грн
500+13.63 грн
1000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 12743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
SI2377EDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
SI2377EDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS.pdf
SI2377EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.5A; 1.1W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.6nC
Version: ESD
на замовлення 4055 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.32 грн
14+32.34 грн
20+27.77 грн
100+18.96 грн
200+16.34 грн
500+13.63 грн
1000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3
SI2377EDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 12743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3
SI2377EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2377EDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.