Продукція > VISHAY > SI2392ADS-T1-BE3
SI2392ADS-T1-BE3

SI2392ADS-T1-BE3 Vishay


si2392ads.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2392ADS-T1-BE3 Vishay

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI2392ADS-T1-BE3 за ціною від 10.67 грн до 51.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2392ADS-T1-BE3 SI2392ADS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2392ads.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3 SI2392ADS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2392ads.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.16 грн
10+32.88 грн
100+22.42 грн
500+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3 SI2392ADS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2392ads.pdf MOSFETs SOT233 100V 3.1A N-CH MOSFET
на замовлення 14917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.07 грн
10+34.10 грн
100+20.23 грн
500+15.89 грн
1000+14.49 грн
3000+12.21 грн
9000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-BE3 SI2392ADS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2392ads.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.