Продукція > VISHAY > SI2392ADS-T1-GE3
SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3 Vishay

si2392ads.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.62 грн
6000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2392ADS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI2392ADS-T1-GE3 за ціною від 12.62 грн до 51.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2392ads.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.67 грн
6000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2392ads.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 10.4nC
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 126mΩ
Power dissipation: 1.6W
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.70 грн
12+33.72 грн
14+30.09 грн
100+19.20 грн
500+14.36 грн
1000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2392ads.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.92 грн
10+33.80 грн
100+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2392ads.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 10.4nC
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 126mΩ
Power dissipation: 1.6W
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.04 грн
8+42.02 грн
10+36.11 грн
100+23.04 грн
500+17.23 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2392ads.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 39498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+51.32 грн
11+35.36 грн
100+21.22 грн
500+16.42 грн
1000+14.72 грн
3000+13.32 грн
6000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2392ads.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2392ads.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2392ads.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2392ads.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.