Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2392ADS-T1-GE3
SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2392ads.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.27 грн
6000+11.72 грн
9000+11.19 грн
15000+9.93 грн
21000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI2392ADS-T1-GE3 за ціною від 13.75 грн до 56.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Vishay si2392ads.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.80 грн
6000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Vishay si2392ads.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.80 грн
6000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Vishay si2392ads.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Vishay si2392ads.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Vishay si2392ads.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
480+29.31 грн
651+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Gate charge: 10.4nC
On-state resistance: 126mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.10 грн
12+36.57 грн
100+21.50 грн
500+15.48 грн
1000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2392ads.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 27945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.19 грн
10+33.43 грн
100+21.64 грн
500+15.51 грн
1000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2392ads.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 16198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.80 грн
6000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.80 грн
6000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
480+29.31 грн
651+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Gate charge: 10.4nC
On-state resistance: 126mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+54.10 грн
12+36.57 грн
100+21.50 грн
500+15.48 грн
1000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 27945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.19 грн
10+33.43 грн
100+21.64 грн
500+15.51 грн
1000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 16198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.