SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 49036 шт:
термін постачання 1040-1049 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.38 грн |
| 10+ | 35.85 грн |
| 100+ | 23.25 грн |
| 500+ | 18.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 3.1A, On-state resistance: 126mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.6W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 10.4nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 8A, Case: SOT23, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SI2392ADS-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.1A On-state resistance: 126mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 8A Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|
 |
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3 |
товар відсутній |
|
|
|
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3 |
товар відсутній |
|
|
|
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.1A On-state resistance: 126mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 8A Case: SOT23 |
товар відсутній |