на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.04 грн |
| 9000+ | 11.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2392ADS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SI2392ADS-T1-GE3 за ціною від 10.67 грн до 53.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 25796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.1A On-state resistance: 126mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.1A On-state resistance: 126mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 8A |
товару немає в наявності |