SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.48 грн |
| 6000+ | 11.91 грн |
| 9000+ | 11.36 грн |
| 15000+ | 10.09 грн |
| 21000+ | 9.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SI2392ADS-T1-GE3 за ціною від 13.97 грн до 57.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2392ADS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI2392ADS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI2392ADS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI2392ADS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI2392ADS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI2392ADS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.6W Gate charge: 10.4nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 126mΩ |
на замовлення 2785 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI2392ADS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V |
на замовлення 27945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI2392ADS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 16198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI2392ADS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.88 грн |
| 6000+ | 16.41 грн |
| SI2392ADS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.88 грн |
| 6000+ | 16.41 грн |
| SI2392ADS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.92 грн |
| SI2392ADS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.96 грн |
| SI2392ADS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 480+ | 29.44 грн |
| 651+ | 21.69 грн |
| SI2392ADS-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 10.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 126mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 10.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 126mΩ
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 54.97 грн |
| 12+ | 37.15 грн |
| 100+ | 21.84 грн |
| 500+ | 15.73 грн |
| 1000+ | 13.97 грн |
| SI2392ADS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 50 V
на замовлення 27945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.09 грн |
| 10+ | 33.96 грн |
| 100+ | 21.98 грн |
| 500+ | 15.75 грн |
| 1000+ | 14.18 грн |
| SI2392ADS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 16198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)