SI2392BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix


si2392bds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.88 грн
6000+13.17 грн
9000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2392BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції SI2392BDS-T1-GE3 за ціною від 15.59 грн до 61.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2392bds.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.85 грн
10+36.96 грн
100+23.99 грн
500+17.28 грн
1000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3 si2392bds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+61.85 грн
10+36.96 грн
100+23.99 грн
500+17.28 грн
1000+15.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.