Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2392BDS-T1-GE3
SI2392BDS-T1-GE3

SI2392BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2392bds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.09 грн
6000+15.13 грн
9000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2392BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI2392BDS-T1-GE3 за ціною від 13.14 грн до 70.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2392bds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2392bds.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 16850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.78 грн
10+44.83 грн
100+25.83 грн
500+20.21 грн
1000+18.01 грн
3000+13.60 грн
6000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2392bds.pdf Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
на замовлення 12580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.68 грн
10+42.42 грн
100+27.57 грн
500+19.85 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2392bds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392BDS-T1-GE3 SI2392BDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2392bds.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.