SI2392BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.96 грн |
| 9000+ | 13.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2392BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V.
Інші пропозиції SI2392BDS-T1-GE3 за ціною від 18.54 грн до 65.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2392BDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI2392BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 38230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI2392BDS-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI2392BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 28.92 грн |
| SI2392BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 38230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.99 грн |
| 10+ | 39.64 грн |
| 50+ | 29.15 грн |
| 100+ | 24.17 грн |
| 500+ | 18.54 грн |
| SI2392BDS-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)