SI2393DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 15 V
на замовлення 11839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.26 грн |
| 6000+ | 8.14 грн |
| 9000+ | 7.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2393DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0189ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI2393DS-T1-GE3 за ціною від 7.89 грн до 52.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2393DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2393DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2393DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2393DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0189ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 27023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2393DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL |
на замовлення 233974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2393DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.7mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 15 V |
на замовлення 11839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2393DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2393DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0227 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 27023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI2393DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI2393DS-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI2393DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2393DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |