Продукція > VISHAY > SI2399DS-T1-GE3
SI2399DS-T1-GE3

SI2399DS-T1-GE3 Vishay

si2399ds.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.50 грн
9000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2399DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI2399DS-T1-GE3 за ціною від 11.99 грн до 56.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 Vishay si2399ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.55 грн
9000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 Vishay si2399ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1064+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 1064 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 Vishay si2399ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.93 грн
9000+12.95 грн
24000+12.86 грн
45000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 Vishay si2399ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.93 грн
9000+12.95 грн
24000+12.86 грн
45000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 Vishay si2399ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2399ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.31 грн
10+33.44 грн
100+21.56 грн
500+15.42 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix si2399ds.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 60542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 Vishay si2399ds.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 si2399ds.pdf
SI2399DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.55 грн
9000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 si2399ds.pdf
SI2399DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1064+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 1064 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 si2399ds.pdf
SI2399DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.93 грн
9000+12.95 грн
24000+12.86 грн
45000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 si2399ds.pdf
SI2399DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.93 грн
9000+12.95 грн
24000+12.86 грн
45000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 si2399ds.pdf
SI2399DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 si2399ds.pdf
SI2399DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.31 грн
10+33.44 грн
100+21.56 грн
500+15.42 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 si2399ds.pdf
SI2399DS-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 60542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 VISH-S-A0010613196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2399DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 VISH-S-A0010613196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2399DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 si2399ds.pdf
SI2399DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 376 шт
В кошику  од. на суму  грн.