Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2399DS-T1-GE3
SI2399DS-T1-GE3

SI2399DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

si2399ds.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.98 грн
6000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2399DS-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V.

Інші пропозиції SI2399DS-T1-GE3 за ціною від 10.59 грн до 42.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2399ds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.06 грн
11+29.29 грн
100+20.33 грн
500+14.90 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2399ds.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SOT-23
на замовлення 60542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.51 грн
11+31.65 грн
100+20.55 грн
500+16.16 грн
1000+12.47 грн
3000+11.36 грн
6000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2399DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2399ds.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.