на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2399DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI2399DS-T1-GE3 за ціною від 10.45 грн до 46.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2399DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2399DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2399DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2399DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2399DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2399DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2399DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2399DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2399DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V |
на замовлення 6385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2399DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs SOT-23 |
на замовлення 60542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2399DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.034 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2399DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |