SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.12 грн |
| 6000+ | 10.69 грн |
| 9000+ | 10.19 грн |
| 15000+ | 9.03 грн |
| 21000+ | 8.72 грн |
| 30000+ | 8.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3127DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3127DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI3127DV-T1-GE3 за ціною від 9.75 грн до 61.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3127DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 361461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3127DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V |
на замовлення 31036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3127DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3127DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 30728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3127DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |