на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3127DV-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI3127DV-T1-GE3 за ціною від 8.44 грн до 33.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3127DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3127DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 833 pF @ 20 V |
на замовлення 19160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3127DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 501832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3127DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -20A Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: TSOP6 Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.1A On-state resistance: 89mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.7W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI3127DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.1A; Idm: -20A Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Gate charge: 30nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: TSOP6 Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.1A On-state resistance: 89mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.7W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |