SI3129DV-T1-GE3

SI3129DV-T1-GE3 Vishay Siliconix


si3129dv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.7mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 40 V
на замовлення 2902 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.98 грн
10+40.91 грн
100+28.28 грн
500+22.18 грн
1000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3129DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.7mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 40 V.

Інші пропозиції SI3129DV-T1-GE3 за ціною від 17.20 грн до 67.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3129DV-T1-GE3 SI3129DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3129dv.pdf Description: VISHAY - SI3129DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 5.4 A, 0.0689 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0689ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.37 грн
19+45.64 грн
100+31.15 грн
500+24.13 грн
1000+18.92 грн
5000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 SI3129DV-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si3129dv.pdf MOSFETs TSOPP C HAN8 0V
на замовлення 177218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.47 грн
10+46.61 грн
100+27.69 грн
500+23.16 грн
1000+18.48 грн
3000+17.52 грн
6000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3129dv.pdf SI3129DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 SI3129DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3129dv.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 3.8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 SI3129DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3129dv.pdf Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.7mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.