Продукція > VISHAY SILICONIX > Si3407DV-T1-GE3
Si3407DV-T1-GE3

Si3407DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3407dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.50 грн
9000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si3407DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V.

Інші пропозиції Si3407DV-T1-GE3 за ціною від 10.81 грн до 61.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
476+30.72 грн
523+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY SI3407DV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; TSOP6
On-state resistance: 32.7mΩ
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.57 грн
16+26.52 грн
50+21.60 грн
51+19.06 грн
139+18.05 грн
500+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3407dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 34907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.80 грн
10+34.31 грн
50+25.09 грн
100+20.74 грн
500+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3407dv.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
на замовлення 13645 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+61.75 грн
12+27.54 грн
100+21.10 грн
500+16.07 грн
1000+15.84 грн
3000+12.39 грн
9000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 si3407dv.pdf
SI3407DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 si3407dv.pdf
SI3407DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 si3407dv.pdf
SI3407DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
476+30.72 грн
523+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 SI3407DV.pdf
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Gate charge: 63nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; TSOP6
On-state resistance: 32.7mΩ
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+56.57 грн
16+26.52 грн
50+21.60 грн
51+19.06 грн
139+18.05 грн
500+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 si3407dv.pdf
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 34907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.80 грн
10+34.31 грн
50+25.09 грн
100+20.74 грн
500+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 si3407dv.pdf
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
на замовлення 13645 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+61.75 грн
12+27.54 грн
100+21.10 грн
500+16.07 грн
1000+15.84 грн
3000+12.39 грн
9000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 si3407dv.pdf
SI3407DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.