Продукція > VISHAY SILICONIX > Si3407DV-T1-GE3
Si3407DV-T1-GE3

Si3407DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3407dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.29 грн
9000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si3407DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V.

Інші пропозиції Si3407DV-T1-GE3 за ціною від 15.57 грн до 56.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+35.43 грн
500+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY SI3407DV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Drain current: -8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; TSOP6
On-state resistance: 32.7mΩ
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.32 грн
15+28.70 грн
25+24.38 грн
50+21.76 грн
100+19.55 грн
500+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3407dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 53098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.96 грн
10+33.75 грн
50+24.68 грн
100+20.42 грн
500+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3407dv.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
на замовлення 16655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 si3407dv.pdf
SI3407DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 si3407dv.pdf
SI3407DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 si3407dv.pdf
SI3407DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
399+35.43 грн
500+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 SI3407DV.pdf
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Drain current: -8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; TSOP6
On-state resistance: 32.7mΩ
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.32 грн
15+28.70 грн
25+24.38 грн
50+21.76 грн
100+19.55 грн
500+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 si3407dv.pdf
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 53098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.96 грн
10+33.75 грн
50+24.68 грн
100+20.42 грн
500+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 si3407dv.pdf
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
на замовлення 16655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 si3407dv.pdf
SI3407DV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.