Si3407DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.43 грн |
| 6000+ | 11.85 грн |
| 9000+ | 11.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si3407DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V.
Інші пропозиції Si3407DV-T1-GE3 за ціною від 11.85 грн до 57.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3407DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3407DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3407DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si3407DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 57482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
Si3407DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V |
на замовлення 17806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3407DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| Si3407DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI3407DV-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2630 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI3407DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |