Продукція > VISHAY > SI3407DV-T1-GE3
SI3407DV-T1-GE3

SI3407DV-T1-GE3 Vishay

si3407dv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.99 грн
6000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3407DV-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI3407DV-T1-GE3 за ціною від 9.05 грн до 37.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3407dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.95 грн
6000+10.40 грн
9000+10.34 грн
15000+9.37 грн
21000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3407dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 10 V
на замовлення 27448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.33 грн
18+17.23 грн
100+14.87 грн
500+12.98 грн
1000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI3407DV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+29.31 грн
25+22.53 грн
50+20.48 грн
51+17.54 грн
139+16.63 грн
500+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI3407DV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.17 грн
25+28.07 грн
50+24.58 грн
51+21.04 грн
139+19.96 грн
500+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3407dv.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
на замовлення 58193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.84 грн
13+25.70 грн
100+17.05 грн
500+14.51 грн
1000+13.06 грн
3000+10.52 грн
9000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3407DV-T1-GE3 SI3407DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3407dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.