Si3410DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.05 грн |
| 6000+ | 18.29 грн |
| 9000+ | 16.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si3410DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3410DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.1W, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.
Інші пропозиції Si3410DV-T1-GE3 за ціною від 16.22 грн до 63.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3410DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3410DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 4.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.1W Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm |
на замовлення 17643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
Si3410DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V |
на замовлення 26030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si3410DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 19633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3410DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3410DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.1W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm |
на замовлення 17643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| Si3410DV-T1-GE3 |
|
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SI3410DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| Si3410DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A; 4.1W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 4.1W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SI3410DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| Si3410DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 30A; 4.1W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 4.1W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |