Продукція > VISHAY > SI3417DV-T1-GE3
SI3417DV-T1-GE3

SI3417DV-T1-GE3 Vishay

si3417dv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3417DV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3417DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI3417DV-T1-GE3 за ціною від 8.49 грн до 47.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3417dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3417dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3417dv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.82 грн
6000+9.16 грн
9000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3417dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3417dv.pdf Description: VISHAY - SI3417DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.11 грн
500+14.29 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3417dv.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 32270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.49 грн
13+26.20 грн
100+17.27 грн
500+13.64 грн
1000+10.52 грн
3000+9.00 грн
9000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3417dv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 10222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.96 грн
11+28.27 грн
100+18.97 грн
500+13.50 грн
1000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3417dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3417dv.pdf Description: VISHAY - SI3417DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.38 грн
27+31.18 грн
100+20.11 грн
500+14.29 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3417dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3417dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3417dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3417DV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3417dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.