Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3417DV-T1-GE3

SI3417DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI3417DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 4385538-3
Price: 28890.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	9.63 грн
6000+	8.98 грн
9000+	8.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI3417DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI3417DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI3417DV-T1-GE3 за ціною від 10.34 грн до 51.40 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI3417DV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

на замовлення 10222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.10 грн
11+	27.72 грн
100+	18.60 грн
500+	13.24 грн
1000+	11.70 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	51.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

на замовлення 43145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI3417DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

VISHAY

на замовлення 2168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	10.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	10.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	20.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V

на замовлення 10222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	43.10 грн
11+	27.72 грн
100+	18.60 грн
500+	13.24 грн
1000+	11.70 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	51.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

на замовлення 43145 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3417DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3417DV-T1-GE3

на замовлення 2168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.