Продукція > VISHAY > SI3421DV-T1-GE3
SI3421DV-T1-GE3

SI3421DV-T1-GE3 Vishay

si3421dv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3421DV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI3421DV-T1-GE3 за ціною від 10.01 грн до 65.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3421dv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.99 грн
6000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.40 грн
6000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3421dv.pdf Description: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.44 грн
500+16.86 грн
1500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3421dv.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 27324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.33 грн
12+29.44 грн
100+19.94 грн
500+15.74 грн
1000+12.80 грн
3000+10.59 грн
9000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3421dv.pdf Description: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.03 грн
50+35.40 грн
100+23.44 грн
500+16.86 грн
1500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3421dv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
на замовлення 8691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.52 грн
10+34.56 грн
100+22.62 грн
500+16.19 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3421dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
On-state resistance: 19.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 69nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.47 грн
12+32.65 грн
50+24.14 грн
57+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3421dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
On-state resistance: 19.2mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 69nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.36 грн
10+40.68 грн
50+28.97 грн
57+19.04 грн
157+18.02 грн
1000+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.