Продукція > VISHAY SILICONIX > Si3424BDV-T1-GE3
Si3424BDV-T1-GE3

Si3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3424bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V.

Інші пропозиції Si3424BDV-T1-GE3 за ціною від 10.99 грн до 43.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
Si3424BDV-T1-GE3 Si3424BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3424bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.62 грн
10+ 32.26 грн
100+ 22.42 грн
500+ 16.43 грн
1000+ 13.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
Si3424BDV-T1-GE3 Si3424BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si3424bd.pdf MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
на замовлення 58673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.35 грн
10+ 36.3 грн
100+ 21.98 грн
500+ 17.18 грн
1000+ 13.92 грн
3000+ 11.79 грн
9000+ 10.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
Si3424BDV-T1-GE3 si3424bd.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)