Si3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.14 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V.
Інші пропозиції Si3424BDV-T1-GE3 за ціною від 12.07 грн до 47.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Si3424BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V |
на замовлення 5445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
Si3424BDV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V |
на замовлення 58673 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI3424BDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| Si3424BDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.42 грн |
| 10+ | 34.54 грн |
| 100+ | 24.01 грн |
| 500+ | 17.59 грн |
| 1000+ | 14.30 грн |
| Si3424BDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
на замовлення 58673 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.61 грн |
| 10+ | 39.86 грн |
| 100+ | 24.13 грн |
| 500+ | 18.87 грн |
| 1000+ | 15.28 грн |
| 3000+ | 12.94 грн |
| 9000+ | 12.07 грн |
| SI3424BDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 20.42 грн |
| 39+ | 19.51 грн |
| 40+ | 19.46 грн |
| 100+ | 17.34 грн |
| 250+ | 16.02 грн |
| 500+ | 14.26 грн |
| 1000+ | 13.18 грн |