Продукція > VISHAY SILICONIX > Si3424BDV-T1-GE3
Si3424BDV-T1-GE3

Si3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3424bd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис Si3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V.

Інші пропозиції Si3424BDV-T1-GE3 за ціною від 13.06 грн до 43.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
Si3424BDV-T1-GE3 Si3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3424bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.01 грн
10+35.02 грн
100+24.34 грн
500+17.84 грн
1000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-GE3 Si3424BDV-T1-GE3 Vishay / Siliconix si3424bd.pdf MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
на замовлення 58673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424BDV-T1-GE3 Vishay si3424bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.24 грн
39+19.33 грн
40+19.29 грн
100+17.19 грн
250+15.88 грн
500+14.14 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-GE3 si3424bd.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-GE3 si3424bd.pdf
Si3424BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 2.98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.01 грн
10+35.02 грн
100+24.34 грн
500+17.84 грн
1000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-GE3 si3424bd.pdf
Si3424BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
на замовлення 58673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424BDV-T1-GE3 si3424bd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+20.24 грн
39+19.33 грн
40+19.29 грн
100+17.19 грн
250+15.88 грн
500+14.14 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si3424BDV-T1-GE3 si3424bd.pdf
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.