SI3424CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3424CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI3424CDV-T1-BE3 за ціною від 8.75 грн до 39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3424CDV-T1-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S) |
на замовлення 59551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3424CDV-T1-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V |
на замовлення 3875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3424CDV-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 3.6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 3.6W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI3424CDV-T1-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 3.6W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 3.6W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |