на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3424CDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI3424CDV-T1-GE3 за ціною від 8.42 грн до 42.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V |
на замовлення 14432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 385046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI3424CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI3424CDV-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |