Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3424CDV-T1-GE3

SI3424CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI3424CDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 4496225-3
Price: 32910.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	10.97 грн
6000+	9.65 грн
9000+	9.18 грн
15000+	8.13 грн
21000+	7.84 грн
30000+	7.55 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI3424CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI3424CDV-T1-GE3 за ціною від 11.07 грн до 47.71 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI3424CDV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.73 грн
48000+	15.29 грн
72000+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

790+	17.87 грн

Мінімальне замовлення: 790 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

на замовлення 85982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.71 грн
11+	28.47 грн
100+	18.20 грн
500+	12.95 грн
1000+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

на замовлення 351084 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

VISHAY

на замовлення 2016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	12.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	12.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	16.73 грн
48000+	15.29 грн
72000+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
790+	17.87 грн

Мінімальне замовлення: 790 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V

на замовлення 85982 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7+	47.71 грн
11+	28.47 грн
100+	18.20 грн
500+	12.95 грн
1000+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

на замовлення 351084 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 2016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI3424CDV-T1-GE3

на замовлення 2016 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.