Продукція > VISHAY > SI3424CDV-T1-GE3
SI3424CDV-T1-GE3

SI3424CDV-T1-GE3 Vishay

si3424cdv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3424CDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.

Інші пропозиції SI3424CDV-T1-GE3 за ціною від 7.41 грн до 41.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3424cdv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.28 грн
6000+ 8.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.67 грн
21000+ 13.4 грн
42000+ 12.47 грн
63000+ 11.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
790+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 790
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 10534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.85 грн
500+ 13.56 грн
1000+ 7.96 грн
5000+ 7.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3424cdv.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 430401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.68 грн
15+ 21.88 грн
100+ 12.88 грн
1000+ 8.88 грн
3000+ 7.54 грн
9000+ 7.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3424cdv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.66 грн
11+ 25.66 грн
100+ 15.41 грн
500+ 13.39 грн
1000+ 9.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 10534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+41.57 грн
24+ 32.5 грн
100+ 19.85 грн
500+ 13.56 грн
1000+ 7.96 грн
5000+ 7.57 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3424cdv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3424cdv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.3W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній