SI3424CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix


si3424cdv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.27 грн
9000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3424CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 3.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.

Інші пропозиції SI3424CDV-T1-GE3 за ціною від 8.35 грн до 52.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.40 грн
9000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.40 грн
9000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.36 грн
48000+15.87 грн
72000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3424cdv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 93151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.20 грн
11+29.27 грн
50+21.29 грн
100+17.55 грн
500+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3424cdv.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 347957 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+52.84 грн
14+23.36 грн
100+17.83 грн
500+13.54 грн
3000+10.38 грн
9000+9.03 грн
24000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 Vishay si3424cdv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024282079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 SI3424CDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0024282079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.40 грн
9000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.40 грн
9000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.36 грн
48000+15.87 грн
72000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
790+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V
на замовлення 93151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.20 грн
11+29.27 грн
50+21.29 грн
100+17.55 грн
500+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 347957 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.84 грн
14+23.36 грн
100+17.83 грн
500+13.54 грн
3000+10.38 грн
9000+9.03 грн
24000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 si3424cdv.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 VISH-S-A0024282079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3424CDV-T1-GE3 VISH-S-A0024282079-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.