Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3429EDV-T1-GE3
SI3429EDV-T1-GE3

SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3429edv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI3429EDV-T1-GE3 за ціною від 6.68 грн до 46.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS89072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.39 грн
500+12.72 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3429edv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
664+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 664
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3429edv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+24.08 грн
35+17.41 грн
36+17.26 грн
50+16.50 грн
100+9.73 грн
250+8.83 грн
500+8.76 грн
1000+8.18 грн
3000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3429edv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
449+27.27 грн
815+15.01 грн
1209+10.12 грн
3000+8.84 грн
9000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 449
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3429edv.pdf MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.32 грн
13+28.62 грн
100+13.82 грн
1000+9.47 грн
3000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3429edv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.25 грн
12+27.68 грн
100+14.01 грн
500+12.48 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS89072-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.68 грн
29+29.89 грн
100+14.39 грн
500+12.72 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3429edv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3429edv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3429edv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85BFC1EE8AC0C7&compId=si3429edv.pdf?ci_sign=b8d57614daeb5242d42ba3348e5f19e731ff9f22 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85BFC1EE8AC0C7&compId=si3429edv.pdf?ci_sign=b8d57614daeb5242d42ba3348e5f19e731ff9f22 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.