SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix


si3429edv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V.

Інші пропозиції SI3429EDV-T1-GE3 за ціною від 8.04 грн до 44.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3429edv.pdf MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.45 грн
13+26.42 грн
100+12.76 грн
1000+8.74 грн
3000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3429edv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.40 грн
12+26.57 грн
100+13.45 грн
500+11.98 грн
1000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 si3429edv.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.45 грн
13+26.42 грн
100+12.76 грн
1000+8.74 грн
3000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3429EDV-T1-GE3 si3429edv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+44.40 грн
12+26.57 грн
100+13.45 грн
500+11.98 грн
1000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.