| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1031+ | 14.22 грн |
| 1047+ | 14.00 грн |
| 1064+ | 13.78 грн |
| 1081+ | 13.07 грн |
| 1099+ | 11.90 грн |
| 3000+ | 11.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1031 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3429EDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI3429EDV-T1-GE3 за ціною від 8.40 грн до 57.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 4660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 9881 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3429EDV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SI3429EDV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 14.67 грн |
| 55+ | 14.22 грн |
| 100+ | 13.50 грн |
| 250+ | 12.30 грн |
| 500+ | 11.62 грн |
| 1000+ | 11.43 грн |
| 3000+ | 11.23 грн |
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 17.43 грн |
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 17.43 грн |
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 449+ | 32.65 грн |
| 815+ | 17.98 грн |
| 1209+ | 12.12 грн |
| 3000+ | 10.58 грн |
| 9000+ | 8.40 грн |
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 52.37 грн |
| 10+ | 31.56 грн |
| 50+ | 23.06 грн |
| 100+ | 19.05 грн |
| 500+ | 14.48 грн |
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 9881 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.41 грн |
| 12+ | 25.78 грн |
| 100+ | 19.64 грн |
| 500+ | 14.97 грн |
| 1000+ | 14.45 грн |
| 3000+ | 11.44 грн |
| 6000+ | 11.29 грн |
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)