| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1031+ | 13.70 грн |
| 1047+ | 13.49 грн |
| 1064+ | 13.27 грн |
| 1081+ | 12.59 грн |
| 1099+ | 11.47 грн |
| 3000+ | 10.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3429EDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI3429EDV-T1-GE3 за ціною від 8.09 грн до 52.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 4660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3429EDV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 11663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI3429EDV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SI3429EDV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 14.13 грн |
| 55+ | 13.70 грн |
| 100+ | 13.01 грн |
| 250+ | 11.85 грн |
| 500+ | 11.19 грн |
| 1000+ | 11.01 грн |
| 3000+ | 10.82 грн |
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 16.79 грн |
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 16.79 грн |
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 6-Pin TSOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 449+ | 31.46 грн |
| 815+ | 17.32 грн |
| 1209+ | 11.68 грн |
| 3000+ | 10.20 грн |
| 9000+ | 8.09 грн |
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 52.22 грн |
| 10+ | 31.46 грн |
| 50+ | 22.99 грн |
| 100+ | 18.99 грн |
| 500+ | 14.44 грн |
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 11663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI3429EDV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI3429EDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.0175 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)