Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3430DV-T1-BE3
SI3430DV-T1-BE3

SI3430DV-T1-BE3 Vishay Siliconix

si3430dv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3430DV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI3430DV-T1-BE3 за ціною від 32.08 грн до 96.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3430DV-T1-BE3 SI3430DV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si3430dv.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
на замовлення 5293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.74 грн
10+68.59 грн
100+53.35 грн
500+42.44 грн
1000+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-BE3 SI3430DV-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si3430dv.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100V (D-S)
на замовлення 77523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.13 грн
10+75.97 грн
100+46.42 грн
500+37.52 грн
1000+34.65 грн
3000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3430dv.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3430DV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3430dv.pdf N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.