на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 25.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3430DV-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI3430DV-T1-E3 за ціною від 30.71 грн до 125.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3430DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3430DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3430DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3430DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3430DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3430DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V |
на замовлення 7994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3430DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TSOP6 100V 2.4A N-CH MOSFET |
на замовлення 734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3430DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
1036+ TSOP6 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SI3430DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI3430DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.4A; Idm: 8A; 2W Kind of channel: enhancement Case: TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 8.2nC On-state resistance: 0.185Ω Power dissipation: 2W Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 8A Drain-source voltage: 100V Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |