Si3430DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 2871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.00 грн |
| 10+ | 77.86 грн |
| 100+ | 52.78 грн |
| 500+ | 42.46 грн |
| 1000+ | 36.45 грн |
| 3000+ | 33.55 грн |
| 6000+ | 32.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si3430DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V.
Інші пропозиції Si3430DV-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| Si3430DV-T1-GE3 |
 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
SI3430DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|
| Si3430DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI3430DV-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
Si3430DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
Si3430DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |