Продукція > VISHAY / SILICONIX > Si3430DV-T1-GE3

Si3430DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Name: Si3430DV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 139793-4
Price: 431.34 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V

на замовлення 2666 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	143.78 грн
10+	89.79 грн
100+	51.98 грн
500+	42.64 грн
1000+	37.36 грн
3000+	32.00 грн
6000+	30.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис Si3430DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V.

Інші пропозиції Si3430DV-T1-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
Si3430DV-T1-GE3			на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI3430DV-T1-GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
Si3430DV-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
Si3430DV-T1-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
Si3430DV-T1-GE3	Виробник : VISHAY	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.4A; Idm: 8A; 2W Kind of channel: enhancement Case: TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 8.2nC On-state resistance: 0.185Ω Power dissipation: 2W Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 8A Drain-source voltage: 100V Gate-source voltage: ±20V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.