| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 19.06 грн |
| 21+ | 15.98 грн |
| 100+ | 12.29 грн |
| 500+ | 11.10 грн |
| 1000+ | 9.78 грн |
| 3000+ | 9.15 грн |
| 6000+ | 9.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3433CDV-T1-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI3433CDV-T1-E3 за ціною від 13.72 грн до 47.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3433CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOPVgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-TSOP |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI3433CDV-T1-E3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI3433CDV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.92 грн |
| 11+ | 29.88 грн |
| 100+ | 20.14 грн |
| 500+ | 14.92 грн |
| 1000+ | 13.72 грн |