Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3433CDV-T1-GE3
SI3433CDV-T1-GE3

SI3433CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

si3433cdv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.95 грн
6000+11.43 грн
9000+10.90 грн
15000+9.67 грн
21000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3433CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI3433CDV-T1-GE3 за ціною від 9.10 грн до 312.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI3433CDV-T1-GE3 SI3433CDV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3433cdv.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.19 грн
12+29.10 грн
100+18.11 грн
500+14.38 грн
1000+11.56 грн
3000+9.87 грн
9000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 SI3433CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3433cdv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 22664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.51 грн
10+32.91 грн
100+21.20 грн
500+15.16 грн
1000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 Vishay si3433cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP SI3433CDV-T1-E3; SI3433CDV-T1-GE3; SI3433CDV-T1-BE3; SI3433CDV-T1-E3 VISHAY TSI3433cdv
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3433cdv.pdf MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 si3433cdv.pdf
SI3433CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+35.19 грн
12+29.10 грн
100+18.11 грн
500+14.38 грн
1000+11.56 грн
3000+9.87 грн
9000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 si3433cdv.pdf
SI3433CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 22664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.51 грн
10+32.91 грн
100+21.20 грн
500+15.16 грн
1000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 si3433cdv.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP SI3433CDV-T1-E3; SI3433CDV-T1-GE3; SI3433CDV-T1-BE3; SI3433CDV-T1-E3 VISHAY TSI3433cdv
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 si3433cdv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.