на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3437DV-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V.
Інші пропозиції SI3437DV-T1-E3 за ціною від 20.37 грн до 78.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3437DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3437DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3437DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3437DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3437DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3437DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V |
на замовлення 5386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3437DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -150V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 79839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3437DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI3437DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -1.4A; Idm: -5A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -1.4A Pulsed drain current: -5A Power dissipation: 3.2W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 790mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI3437DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -1.4A; Idm: -5A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -1.4A Pulsed drain current: -5A Power dissipation: 3.2W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 790mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |