Продукція > VISHAY > SI3437DV-T1-GE3
SI3437DV-T1-GE3

SI3437DV-T1-GE3 Vishay


si3437dv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3437DV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.75 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI3437DV-T1-GE3 за ціною від 19.41 грн до 90.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3437dv.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.03 грн
6000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3437dv.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3437dv.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2245722.pdf Description: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.61 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.61ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3437dv.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3437dv.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3437dv.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0017723684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.75 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.62 грн
500+27.50 грн
1500+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3437dv.pdf MOSFETs -150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 122714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.87 грн
10+35.89 грн
100+23.32 грн
3000+20.85 грн
6000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3437dv.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
на замовлення 7751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.66 грн
10+51.87 грн
100+34.30 грн
500+25.09 грн
1000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0017723684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3437DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.4 A, 0.75 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+90.44 грн
50+56.82 грн
100+37.62 грн
500+27.50 грн
1500+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3437dv.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3437dv.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.