Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3438DV-T1-E3
SI3438DV-T1-E3

SI3438DV-T1-E3 Vishay Siliconix

si3438dv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.80 грн
10+59.71 грн
100+43.06 грн
500+34.55 грн
1000+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3438DV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI3438DV-T1-E3 за ціною від 28.40 грн до 85.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3438DV-T1-E3 SI3438DV-T1-E3 Виробник : Vishay / Siliconix si3438dv.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.19 грн
10+68.45 грн
100+41.98 грн
500+33.83 грн
1000+31.19 грн
3000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3438dv.pdf SOT26
на замовлення 39990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3438dv.pdf SOT26/SOT363
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3438dv.pdf SI3438DV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-E3 SI3438DV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3438dv.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.