на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3438DV-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SI3438DV-T1-GE3 за ціною від 27.68 грн до 96.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3438DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3438DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3438DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3438DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3438DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3438DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3438DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3438DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3438DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3438DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V |
на замовлення 13245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3438DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 39150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI3438DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 7.4A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 7.4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 3.5W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SI3438DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 7.4A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 7.4A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 3.5W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |