SI3438DV-T1-GE3 Vishay Siliconix


si3438dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3438DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SI3438DV-T1-GE3 за ціною від 26.36 грн до 75.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI3438DV-T1-GE3 SI3438DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3438dv.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
на замовлення 11993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.57 грн
10+50.47 грн
100+39.63 грн
500+33.45 грн
1000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3 SI3438DV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3438dv.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 34559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.49 грн
10+55.52 грн
100+37.85 грн
500+34.75 грн
1000+31.44 грн
3000+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3 si3438dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
на замовлення 11993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+70.57 грн
10+50.47 грн
100+39.63 грн
500+33.45 грн
1000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3 si3438dv.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 34559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+75.49 грн
10+55.52 грн
100+37.85 грн
500+34.75 грн
1000+31.44 грн
3000+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.