Інші пропозиції SI3440ADV-T1-GE3 за ціною від 7.22 грн до 60.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI3440ADV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI3440ADV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI3440ADV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI3440ADV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI3440ADV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI3440ADV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 44264 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI3440ADV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V |
на замовлення 8501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI3440ADV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI3440ADV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI3440ADV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SI3440ADV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SI3440ADV-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 3.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI3440ADV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1596+ | 9.18 грн |
| SI3440ADV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 10.49 грн |
| SI3440ADV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.52 грн |
| SI3440ADV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.59 грн |
| SI3440ADV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 551+ | 26.60 грн |
| 647+ | 22.65 грн |
| 849+ | 17.25 грн |
| 1000+ | 15.42 грн |
| 3000+ | 11.47 грн |
| 6000+ | 10.88 грн |
| 9000+ | 8.42 грн |
| SI3440ADV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 44264 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 34.76 грн |
| 17+ | 18.26 грн |
| 100+ | 11.74 грн |
| 500+ | 10.98 грн |
| 1000+ | 7.98 грн |
| 3000+ | 7.30 грн |
| 6000+ | 7.22 грн |
| SI3440ADV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 8501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.64 грн |
| 12+ | 26.21 грн |
| 50+ | 19.06 грн |
| 100+ | 15.70 грн |
| 500+ | 11.85 грн |
| SI3440ADV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 58.68 грн |
| 30+ | 26.60 грн |
| 100+ | 22.65 грн |
| 500+ | 16.64 грн |
| 1000+ | 14.28 грн |
| 3000+ | 11.01 грн |
| 6000+ | 10.88 грн |
| 9000+ | 8.42 грн |
| SI3440ADV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 245+ | 59.79 грн |
| 246+ | 59.62 грн |
| 250+ | 59.44 грн |
| 500+ | 57.15 грн |
| SI3440ADV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 60.13 грн |
| 25+ | 59.97 грн |
| 50+ | 57.66 грн |
| 100+ | 53.23 грн |
| 250+ | 50.95 грн |
| 500+ | 50.80 грн |
| SI3440ADV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
Description: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI3440ADV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
Description: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







