Продукція > VISHAY > SI3440ADV-T1-GE3
SI3440ADV-T1-GE3

SI3440ADV-T1-GE3 Vishay


doc75594.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1596+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 1596
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3440ADV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI3440ADV-T1-GE3 за ціною від 6.52 грн до 41.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440adv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440adv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3440adv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.34 грн
6000+7.73 грн
9000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440adv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2687465.pdf Description: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 34333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.08 грн
500+12.46 грн
1000+10.87 грн
5000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay doc75594.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+32.70 грн
28+22.15 грн
100+11.67 грн
1000+9.55 грн
3000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay doc75594.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+33.95 грн
25+33.82 грн
50+32.48 грн
100+29.96 грн
250+28.65 грн
500+28.54 грн
1000+28.42 грн
3000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3440adv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 9336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.73 грн
14+22.17 грн
100+12.87 грн
500+12.04 грн
1000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay doc75594.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
336+36.28 грн
337+36.14 грн
339+36.00 грн
500+34.58 грн
1000+31.89 грн
3000+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 336
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2687465.pdf Description: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 34333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.09 грн
30+27.99 грн
100+14.08 грн
500+12.46 грн
1000+10.87 грн
5000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3440adv.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 55127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.44 грн
12+28.61 грн
100+12.04 грн
1000+10.42 грн
3000+8.29 грн
9000+7.19 грн
24000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3
Код товару: 171852
Додати до обраних Обраний товар

si3440adv.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay doc75594.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3440adv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 3.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 432mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3440adv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 3.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 432mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.