Продукція > VISHAY > SI3440DV-T1-E3
SI3440DV-T1-E3

SI3440DV-T1-E3 Vishay

si3440dv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3440DV-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.14W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI3440DV-T1-E3 за ціною від 17.41 грн до 156.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3440dv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
272+45.00 грн
274+44.55 грн
276+44.29 грн
278+42.46 грн
500+39.09 грн
1000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 272
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+45.08 грн
15+41.78 грн
25+41.37 грн
100+39.66 грн
250+36.50 грн
500+34.84 грн
1000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+55.08 грн
4000+49.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : VISHAY VISHS82198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.14W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.64 грн
500+45.06 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si3440dv.pdf MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 80873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.99 грн
10+80.29 грн
100+55.54 грн
500+48.41 грн
1000+39.21 грн
3000+39.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : VISHAY VISHS82198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.14W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.89 грн
11+81.29 грн
100+62.64 грн
500+45.06 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3440dv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.77 грн
10+96.48 грн
100+65.26 грн
500+48.71 грн
1000+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 si3440dv.pdf
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3440dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.14W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3440dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1.14W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.