Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3440DV-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.14W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI3440DV-T1-E3 за ціною від 43.02 грн до 154.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3440DV-T1-E3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOPGate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3440DV-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3440DV-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 61598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI3440DV-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.14W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.14W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI3440DV-T1-E3 |
|
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI3440DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 43.02 грн |
| SI3440DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 45.24 грн |
| SI3440DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 47.99 грн |
| SI3440DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 49.83 грн |
| SI3440DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 49.83 грн |
| SI3440DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 272+ | 52.05 грн |
| 274+ | 51.53 грн |
| 276+ | 51.23 грн |
| 278+ | 49.11 грн |
| 500+ | 45.21 грн |
| 1000+ | 43.14 грн |
| SI3440DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 53.99 грн |
| SI3440DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 54.11 грн |
| SI3440DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 56.16 грн |
| 15+ | 52.05 грн |
| 25+ | 51.53 грн |
| 100+ | 49.40 грн |
| 250+ | 45.47 грн |
| 500+ | 43.40 грн |
| 1000+ | 43.14 грн |
| SI3440DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 63.71 грн |
| 4000+ | 57.26 грн |
| SI3440DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 154.07 грн |
| 10+ | 94.82 грн |
| 100+ | 64.13 грн |
| 500+ | 47.87 грн |
| 1000+ | 43.91 грн |
| SI3440DV-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 61598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI3440DV-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.14W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.14W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI3440DV-T1-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.14W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.14W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)