на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3440DV-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.14W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI3440DV-T1-E3 за ціною від 17.49 грн до 161.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.14W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 80873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.14W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V |
на замовлення 5042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3440DV-T1-E3 |
|
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI3440DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SI3440DV-T1-E3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |