на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3440DV-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.14W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm.
Інші пропозиції SI3440DV-T1-E3 за ціною від 28.44 грн до 97.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.14W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm |
на замовлення 9643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3440DV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 1.2 A, 0.31 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.14W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm |
на замовлення 9643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 81378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V |
на замовлення 11454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3440DV-T1-E3 |
|
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI3440DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 1.14W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI3440DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 1.14W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |