SI3440DV-T1-E3 Vishay Siliconix


si3440dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3440DV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI3440DV-T1-E3 за ціною від 34.61 грн до 156.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Vishay Semiconductors si3440dv.pdf MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 61598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.37 грн
10+67.28 грн
100+41.58 грн
500+36.09 грн
1000+34.68 грн
3000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Vishay Siliconix si3440dv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.21 грн
10+96.13 грн
100+65.02 грн
500+48.53 грн
1000+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 si3440dv.pdf
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 si3440dv.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 61598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+146.37 грн
10+67.28 грн
100+41.58 грн
500+36.09 грн
1000+34.68 грн
3000+34.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 si3440dv.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+156.21 грн
10+96.13 грн
100+65.02 грн
500+48.53 грн
1000+44.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-E3 si3440dv.pdf
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.