на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3440DV-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI3440DV-T1-GE3 за ціною від 26.48 грн до 106.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3440DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3440DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V |
на замовлення 32429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3440DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 15157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3440DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R SI3440DV-T1-GE3 TSI3440dv кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SI3440DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI3440DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.59W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.375Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI3440DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.59W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.375Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |