Продукція > VISHAY > SI3440DV-T1-GE3
SI3440DV-T1-GE3

SI3440DV-T1-GE3 Vishay


si3440dv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3440DV-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI3440DV-T1-GE3 за ціною від 21.79 грн до 154.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3440dv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.18 грн
6000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
223+54.61 грн
224+54.53 грн
Мінімальне замовлення: 223
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 193635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
129+94.59 грн
177+69.09 грн
500+55.07 грн
1000+47.83 грн
3000+41.00 грн
6000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 193635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+112.82 грн
10+87.12 грн
100+63.64 грн
500+48.91 грн
1000+40.79 грн
3000+36.25 грн
6000+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3440dv.pdf MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 14946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.14 грн
10+93.47 грн
100+62.12 грн
500+53.41 грн
1000+43.54 грн
3000+38.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3440dv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 24103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.64 грн
10+95.17 грн
100+64.37 грн
500+48.05 грн
1000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R SI3440DV-T1-GE3 TSI3440dv
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440dv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3440dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.59W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3440dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.59W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 375mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.