SI3442BDV-T1-BE3

SI3442BDV-T1-BE3 Vishay / Siliconix


si3442bd.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 2.5-V (G-S)
на замовлення 13166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.38 грн
10+39.25 грн
100+23.26 грн
500+19.45 грн
1000+17.10 грн
3000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3442BDV-T1-BE3 Vishay / Siliconix

Description: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI3442BDV-T1-BE3 за ціною від 18.08 грн до 46.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3442BDV-T1-BE3 SI3442BDV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si3442bd.pdf Description: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.84 грн
10+39.75 грн
100+30.46 грн
500+22.60 грн
1000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-BE3 SI3442BDV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si3442bd.pdf Description: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.