Продукція > VISHAY > SI3442BDV-T1-E3
SI3442BDV-T1-E3

SI3442BDV-T1-E3 Vishay

si3442bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3442BDV-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI3442BDV-T1-E3 за ціною від 13.39 грн до 70.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3442BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3442bd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3442bd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si3442bd.pdf MOSFET 20V 3A
на замовлення 67926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.49 грн
10+38.75 грн
100+23.32 грн
500+19.50 грн
1000+16.55 грн
3000+13.54 грн
6000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3442bd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
на замовлення 24567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.03 грн
10+42.30 грн
100+27.54 грн
500+19.88 грн
1000+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3442bd.pdf
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3442bd.pdf 09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3442bd.pdf SOT163
на замовлення 18610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3442bd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3442bd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3442bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.2A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.67W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3442bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.2A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.67W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.