SI3442BDV-T1-E3

SI3442BDV-T1-E3 Vishay Siliconix


si3442bd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.36 грн
6000+ 13.1 грн
9000+ 12.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3442BDV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI3442BDV-T1-E3 за ціною від 12.12 грн до 41.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3442BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3442bd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
на замовлення 25291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.18 грн
10+ 31.49 грн
100+ 21.84 грн
500+ 17.12 грн
1000+ 14.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI3442BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si3442bd.pdf MOSFET 20V 3A
на замовлення 67926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.18 грн
10+ 35.07 грн
100+ 21.11 грн
500+ 17.65 грн
1000+ 14.98 грн
3000+ 12.25 грн
6000+ 12.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI3442BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3442bd.pdf
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI3442BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3442bd.pdf 09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI3442BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3442bd.pdf SOT163
на замовлення 18610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI3442BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3442bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.2A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.67W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI3442BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3442bd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.2A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.67W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній