Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3443BDV-T1-BE3
SI3443BDV-T1-BE3

SI3443BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

72749.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3443BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI3443BDV-T1-BE3 за ціною від 15.52 грн до 76.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3443BDV-T1-BE3 SI3443BDV-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix 72749.pdf MOSFETs TSOP P CHAN 2.5V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.83 грн
100+25.16 грн
500+21.70 грн
1000+18.76 грн
3000+16.41 грн
6000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-BE3 SI3443BDV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix 72749.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
на замовлення 5300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.40 грн
10+45.98 грн
100+30.09 грн
500+21.80 грн
1000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-BE3 Виробник : Vishay 72749.pdf Trans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.