SI3443CDV-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.38 грн |
| 6000+ | 12.23 грн |
| 9000+ | 11.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3443CDV-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI3443CDV-T1-E3 за ціною від 10.92 грн до 43.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V |
на замовлення 23419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 36350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SOT26/SOT363 |
на замовлення 3096 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5.97A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.97A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 3.2W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 12.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5.97A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.97A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 3.2W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 12.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |