на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3443CDV-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI3443CDV-T1-E3 за ціною від 11.04 грн до 53.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V |
на замовлення 20291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 32113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SOT26/SOT363 |
на замовлення 3096 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.97A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.97A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5.97A; Idm: -20A Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.97A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12.4nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: TSOP6 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI3443CDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5.97A; Idm: -20A Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.97A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12.4nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD Case: TSOP6 |
товару немає в наявності |