Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SI3443CDV-T1-GE3

SI3443CDV-T1-GE3

si3443cd.pdf
Код товару: 160116
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI3443CDV-T1-GE3 за ціною від 10.11 грн до 59.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3443cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.51 грн
6000+11.94 грн
9000+11.39 грн
15000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0017717558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.14 грн
500+16.49 грн
1500+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3443cd.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
на замовлення 67868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.05 грн
10+34.29 грн
100+19.27 грн
500+14.73 грн
1000+13.27 грн
3000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3443cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 15029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.56 грн
10+34.12 грн
100+22.04 грн
500+15.79 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0017717558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 7042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.55 грн
50+37.23 грн
100+24.03 грн
500+18.16 грн
1500+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Vishay si3443cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.97A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 si3443cd.pdf
SI3443CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.51 грн
6000+11.94 грн
9000+11.39 грн
15000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 VISH-S-A0017717558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3443CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+23.14 грн
500+16.49 грн
1500+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 si3443cd.pdf
SI3443CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
на замовлення 67868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.05 грн
10+34.29 грн
100+19.27 грн
500+14.73 грн
1000+13.27 грн
3000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 si3443cd.pdf
SI3443CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 15029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.56 грн
10+34.12 грн
100+22.04 грн
500+15.79 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 VISH-S-A0017717558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI3443CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 3.2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 7042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+59.55 грн
50+37.23 грн
100+24.03 грн
500+18.16 грн
1500+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 si3443cd.pdf
SI3443CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.97A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.