на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.15 грн |
| 6000+ | 11.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3443CDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.05 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI3443CDV-T1-GE3 за ціною від 9.90 грн до 50.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 5.97A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.97A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.05 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 10977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 75838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V |
на замовлення 20814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.05 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 10867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.97A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
SI3443CDV-T1-GE3 Код товару: 160116
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 2.05W; TSOP6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.05W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.53nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: TSOP6 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 2.05W; TSOP6 Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.05W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7.53nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: TSOP6 |
товару немає в наявності |