Продукція > VISHAY > SI3443CDV-T1-GE3
SI3443CDV-T1-GE3

SI3443CDV-T1-GE3 Vishay

si3443cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.97A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.54 грн
6000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3443CDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.05 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI3443CDV-T1-GE3 за ціною від 7.01 грн до 51.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3443cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.97A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.43 грн
6000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3443cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.88 грн
6000+13.31 грн
9000+12.50 грн
15000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS89074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.05 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.39 грн
500+22.09 грн
1500+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3443cd.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
на замовлення 75808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.46 грн
12+29.69 грн
100+22.70 грн
500+17.34 грн
1000+15.48 грн
3000+12.95 грн
6000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3443cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 20814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.71 грн
10+35.50 грн
100+25.87 грн
500+19.06 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS89074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.05 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.84 грн
50+40.65 грн
100+30.39 грн
500+22.09 грн
1500+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3443cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.97A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3443cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.97A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3
Код товару: 160116
Додати до обраних Обраний товар

si3443cd.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3443cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF91176921790143&compId=SI3443CDV.pdf?ci_sign=e093c65eaa61745bd0673150c61693376343b424 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF91176921790143&compId=SI3443CDV.pdf?ci_sign=e093c65eaa61745bd0673150c61693376343b424 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.