Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3443DDV-T1-BE3
SI3443DDV-T1-BE3

SI3443DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

si3443ddv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.56 грн
6000+4.89 грн
9000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3443DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI3443DDV-T1-BE3 за ціною від 4.07 грн до 27.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3443DDV-T1-BE3 SI3443DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3443ddv.pdf P-Channel MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1747+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 1747
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-BE3 SI3443DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3443ddv.pdf P-Channel MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+14.66 грн
63+11.10 грн
100+7.45 грн
500+6.52 грн
1000+5.44 грн
3000+4.10 грн
6000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-BE3 SI3443DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si3443ddv.pdf MOSFETs TSOP6 P-CH 20V 4A
на замовлення 92675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+25.11 грн
21+17.17 грн
100+9.17 грн
500+6.67 грн
1000+5.61 грн
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-BE3 SI3443DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si3443ddv.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V
на замовлення 11944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.88 грн
18+17.77 грн
100+10.09 грн
500+8.40 грн
1000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay mcbi_nods.pdf P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DDV-T1-BE3 Виробник : VISHAY si3443ddv.pdf SI3443DDV-T1-BE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.