на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3443DDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3443DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.039 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.7W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI3443DDV-T1-GE3 за ціною від 4.44 грн до 35.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3443DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.039 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 34075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V |
на замовлення 46453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3443DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.039 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 34075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 73396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.7W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.7W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |