Наименование: Si3443DV

код товара: 52304
Si3443DV

DOWNLOAD SI3443DV.pdfDOWNLOAD si3443dv.pdf

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото Наименование Производитель Описание В наличии/под заказ Цена
Si3443DV Si3443DV
код товара: 52304
Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Полевые P-канальные
SI3443DV SI3443DV Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6; Supplier Device Package : 6-SSOT; Package / Case : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 800mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 640pF @ 10V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 10nC @ 4.5V; Vgs(th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 4A, 4.5V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 4A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V; FET Feature : Logic Level Gate, 2.5V Drive; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide под заказ 38368 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
SI3443DV SI3443DV Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 10nC @ 4.5V; Vgs(th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 4A, 4.5V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 4A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V; FET Feature : Logic Level Gate, 2.5V Drive; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Supplier Device Package : 6-SSOT; Package / Case : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 800mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 640pF @ 10V под заказ 38368 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
SI3443DV SI3443DV Fairchild Semiconductor MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6; Power - Max : 800mW; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 640pF @ 10V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 10nC @ 4.5V; Vgs(th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 4A, 4.5V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 4A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V; FET Feature : Logic Level Gate, 2.5V Drive; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide; Supplier Device Package : 6-SSOT; Package / Case : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ) под заказ 36000 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
SI3443DV ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Manufacturer Part Number: SI3443DV SMD P Channel Transistors под заказ 3000 шт
срок поставки 7-14 дня (дней)
45+ 9.52 грн
54+ 7.83 грн
86+ 4.96 грн
209+ 4.77 грн
SI3443DV VISHAY под заказ 11810 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI3443DV под заказ 6000 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI3443DV VISHAY 09+ под заказ 2018 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI3443DV FAIRCHILD 09+ под заказ 2018 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI3443DV под заказ 1821 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI3443DV SI3443DV Fairchild Semiconductor MOSFET SSOT6 SINGLE PCH под заказ 1539 шт
срок поставки 14-20 дня (дней)
85+ 21.01 грн
112+ 15.9 грн
206+ 8.61 грн
1000+ 6.43 грн
3000+ 5.57 грн
SI3443DV VISHAY 2003 под заказ 1166 шт
срок поставки 14-28 дня (дней)
SI3443DV SI3443DV Infineon Technologies Americas Corp. MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP; Supplier Device Package : Micro6™(TSOP-6); Package / Case : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6; Mounting Type : Surface Mount; Operating Temperature : -55°C ~ 150°C (TJ); Power - Max : 2W; Input Capacitance (Ciss) @ Vds : 1079pF @ 10V; Gate Charge (Qg) @ Vgs : 15nC @ 4.5V; Vgs(th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA; Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 4.4A, 4.5V; Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C : 4.4A (Ta); Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V; FET Feature : Logic Level Gate, 2.5V Drive; FET Type : MOSFET P-Channel, Metal Oxide товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

Техническое описание SI3443DV

Цена SI3443DV

от 4.77 грн до 21.01 грн
Asers Shop ©