Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > Si3443DV
Si3443DV

Si3443DV

FAIRS43863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Si3443DV.pdf si3443dv-d.pdf
Код товару: 52304
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції Si3443DV за ціною від 17.92 грн до 17.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3443DV SI3443DV Виробник : FAIRCHILD 3674899966064104si3443dv.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1806+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 1806
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DV Виробник : ONS/FAI SI3443DV.pdf MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DV SI3443DV Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS43863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DV SI3443DV Виробник : Infineon Technologies Si3443DV.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DV SI3443DV Виробник : onsemi si3443dv-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DV SI3443DV Виробник : Infineon / IR FAIRS43863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Si3443DV.pdf si3443dv-d.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DV SI3443DV Виробник : onsemi / Fairchild SI3443DV_D-2320170.pdf MOSFET SSOT6 SINGLE PCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443DV SI3443DV Виробник : Vishay / Siliconix FAIRS43863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Si3443DV.pdf si3443dv-d.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.