Продукція > VISHAY > SI3456BDV-T1-E3

SI3456BDV-T1-E3 VISHAY


Виробник: VISHAY

на замовлення 106800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3456BDV-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI3456BDV-T1-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3456BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY 07+ SOT163
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI3456BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY 09+
на замовлення 18768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI3456BDV-T1-E3 SI3456BDV-T1-E3 Виробник : Vishay 72544.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SI3456BDV-T1-E3 SI3456BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
товар відсутній
SI3456BDV-T1-E3 SI3456BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
товар відсутній