Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3456DDV-T1-BE3
SI3456DDV-T1-BE3

SI3456DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

si3456ddv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 4397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.70 грн
15+21.32 грн
100+12.77 грн
500+11.09 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3456DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI3456DDV-T1-BE3 за ціною від 6.29 грн до 32.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3456DDV-T1-BE3 SI3456DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si3456ddv.pdf MOSFETs TSOP N CHAN 30V
на замовлення 53704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.63 грн
14+26.06 грн
100+11.98 грн
500+11.22 грн
1000+8.79 грн
3000+6.75 грн
6000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-BE3 SI3456DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3456ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3456ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-BE3 SI3456DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si3456ddv.pdf Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.