Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SI3456DDV-T1-GE3
SI3456DDV-T1-GE3

SI3456DDV-T1-GE3

si3456ddv.pdf
Код товару: 111000
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SI3456DDV-T1-GE3 за ціною від 6.00 грн до 39.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3456ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3456ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.81 грн
6000+7.72 грн
9000+7.34 грн
15000+6.48 грн
21000+6.24 грн
30000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3456ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3456ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3456DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 15837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.19 грн
500+11.80 грн
1500+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3456ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.36 грн
30000+12.21 грн
45000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3456DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+33.84 грн
50+22.42 грн
100+13.19 грн
500+11.80 грн
1500+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3456ddv.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 16270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.29 грн
14+23.38 грн
100+12.97 грн
500+9.78 грн
1000+8.74 грн
3000+7.42 грн
6000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3456ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 105587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.03 грн
13+23.30 грн
100+14.83 грн
500+10.48 грн
1000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 si3456ddv.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3456ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3456ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.