Продукція > VISHAY > SI3456DDV-T1-GE3
SI3456DDV-T1-GE3

SI3456DDV-T1-GE3 Vishay


si3456ddv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3456DDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3456DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.

Інші пропозиції SI3456DDV-T1-GE3 за ціною від 5.33 грн до 29.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3456ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3456ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.38 грн
6000+ 6.81 грн
9000+ 6.13 грн
30000+ 5.67 грн
75000+ 5.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3456ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3456DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 23968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.43 грн
500+ 8 грн
1500+ 7.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142627-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3456DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.033 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 23968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+25.46 грн
50+ 18.95 грн
100+ 12.43 грн
500+ 8 грн
1500+ 7.25 грн
Мінімальне замовлення: 30
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3456ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 94601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.44 грн
14+ 20.45 грн
100+ 12.26 грн
500+ 10.65 грн
1000+ 7.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3456ddv.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 21773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.68 грн
14+ 22.73 грн
100+ 10.82 грн
1000+ 7.54 грн
3000+ 6.34 грн
9000+ 5.87 грн
24000+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI3456DDV-T1-GE3 si3456ddv.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3
Код товару: 111000
si3456ddv.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3456ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3456ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
SI3456DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3456ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній