Продукція > VISHAY > SI3457BDV-T1-E3

SI3457BDV-T1-E3 VISHAY

Виробник: VISHAY
05+ TSOP-6

на замовлення 2779 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис SI3457BDV-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI3457BDV-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI3457BDV-T1-E3	Виробник : VISHAY	06+	на замовлення 13654 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI3457BDV-T1-E3	Виробник : VISHAY	0624	на замовлення 2855 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI3457BDV-T1-E3	Виробник : VISHAY	09+	на замовлення 16672 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI3457BDV-T1-E3	Виробник : VISHAY	SOT-163	на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI3457BDV-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI3457BDV-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI3457BDV-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.