Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3457CDV-T1-BE3
SI3457CDV-T1-BE3

SI3457CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

si3457cdv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3457CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 5.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI3457CDV-T1-BE3 за ціною від 11.59 грн до 44.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3457CDV-T1-BE3 SI3457CDV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si3457cdv.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 5746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.12 грн
10+ 28 грн
100+ 19.46 грн
500+ 14.26 грн
1000+ 11.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI3457CDV-T1-BE3 SI3457CDV-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si3457cdv.pdf MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S)
на замовлення 8583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.24 грн
10+ 37.26 грн
100+ 24.18 грн
500+ 19.06 грн
1000+ 14.72 грн
3000+ 12.29 грн
9000+ 11.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI3457CDV-T1-BE3
Код товару: 189371 		si3457cdv.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SI3457CDV-T1-BE3 SI3457CDV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній