SI3457CDV-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3457CDV-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V.
Інші пропозиції SI3457CDV-T1-E3 за ціною від 14.43 грн до 37.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI3457CDV-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SI3457CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V |
на замовлення 5039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SI3457CDV-T1-E3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 62392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SI3457CDV-T1-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI3457CDV-T1-E3 |
|
на замовлення 396 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI3457CDV-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 26+ | 29.17 грн |
| 28+ | 27.08 грн |
| 50+ | 25.98 грн |
| 100+ | 15.78 грн |
| SI3457CDV-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 5039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.54 грн |
| 11+ | 28.77 грн |
| 100+ | 20.64 грн |
| 500+ | 16.64 грн |
| 1000+ | 14.43 грн |
| SI3457CDV-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 62392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI3457CDV-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




