Продукція > VISHAY > SI3457CDV-T1-GE3
SI3457CDV-T1-GE3

SI3457CDV-T1-GE3 Vishay

si3457cdv.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3457CDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm.

Інші пропозиції SI3457CDV-T1-GE3 за ціною від 12.34 грн до 67.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
572+25.63 грн
611+23.98 грн
614+23.86 грн
702+20.12 грн
1000+17.93 грн
3000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.04 грн
28+28.66 грн
31+25.63 грн
100+23.13 грн
250+21.30 грн
500+17.89 грн
1000+17.21 грн
3000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+48.40 грн
500+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Vishay Semiconductors si3457cdv.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+57.41 грн
10+39.97 грн
100+23.77 грн
500+18.28 грн
1000+16.48 грн
3000+12.87 грн
6000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY SI3457CDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Gate charge: 15nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: -4.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 113mΩ
на замовлення 940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.00 грн
11+39.65 грн
50+29.55 грн
100+25.90 грн
500+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3457cdv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.45 грн
10+40.50 грн
50+29.82 грн
100+24.71 грн
500+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY si3457cdv.pdf Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3457cd.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Очікується: 3330 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+48.86 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
572+25.63 грн
611+23.98 грн
614+23.86 грн
702+20.12 грн
1000+17.93 грн
3000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+33.04 грн
28+28.66 грн
31+25.63 грн
100+23.13 грн
250+21.30 грн
500+17.89 грн
1000+17.21 грн
3000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
303+48.40 грн
500+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.41 грн
10+39.97 грн
100+23.77 грн
500+18.28 грн
1000+16.48 грн
3000+12.87 грн
6000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Gate charge: 15nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: -4.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 113mΩ
на замовлення 940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+64.00 грн
11+39.65 грн
50+29.55 грн
100+25.90 грн
500+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.45 грн
10+40.50 грн
50+29.82 грн
100+24.71 грн
500+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cd.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TSOP-6 Очікується: 3330 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+48.86 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.