Продукція > VISHAY > SI3457CDV-T1-GE3
SI3457CDV-T1-GE3

SI3457CDV-T1-GE3 Vishay

si3457cdv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3457CDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI3457CDV-T1-GE3 за ціною від 11.49 грн до 62.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3457cdv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.68 грн
6000+12.99 грн
9000+12.81 грн
15000+11.88 грн
21000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2045879.pdf Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
530+22.98 грн
594+20.52 грн
604+20.16 грн
688+17.08 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 530
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS99238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.19 грн
500+19.39 грн
1500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+31.82 грн
26+26.79 грн
29+24.62 грн
100+21.20 грн
250+19.29 грн
500+16.27 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90844D94CA0143&compId=SI3457CDV.pdf?ci_sign=25586387bfcf9fd5d614a04f6b2f0c1c1871ce4b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 113mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.99 грн
13+31.74 грн
50+25.17 грн
75+12.43 грн
206+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3457cdv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 21133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.07 грн
10+35.46 грн
100+24.81 грн
500+18.32 грн
1000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS99238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 6269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.79 грн
50+39.80 грн
100+27.19 грн
500+19.39 грн
1500+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3457cdv.pdf MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 6832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.97 грн
10+40.37 грн
100+24.01 грн
500+18.46 грн
1000+16.64 грн
3000+12.99 грн
6000+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90844D94CA0143&compId=SI3457CDV.pdf?ci_sign=25586387bfcf9fd5d614a04f6b2f0c1c1871ce4b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 113mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.39 грн
10+39.55 грн
50+30.20 грн
75+14.91 грн
206+14.06 грн
3000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3457cdv.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TSOP-6
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.