SI3457CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.99 грн |
| 6000+ | 12.34 грн |
| 9000+ | 12.17 грн |
| 15000+ | 11.28 грн |
| 21000+ | 10.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3457CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI3457CDV-T1-GE3 за ціною від 11.38 грн до 59.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3457CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3457CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3457CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3457CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3457CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3457CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3457CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI3457CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V |
на замовлення 21133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3457CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 6832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3457CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: TSOP-6 Од. вим: 3330 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI3457CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |