Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3458BDV-T1-E3
SI3458BDV-T1-E3

SI3458BDV-T1-E3 Vishay Siliconix

si3458bdv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.55 грн
6000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3458BDV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI3458BDV-T1-E3 за ціною від 21.53 грн до 70.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3458BDV-T1-E3 SI3458BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si3458bdv.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.24 грн
10+53.90 грн
100+37.33 грн
500+29.26 грн
1000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-E3 SI3458BDV-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si3458bdv.pdf MOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V
на замовлення 61344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.06 грн
10+59.93 грн
100+36.08 грн
500+30.14 грн
1000+25.69 грн
3000+22.42 грн
6000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-E3 SI3458BDV-T1-E3
Код товару: 55702
Додати до обраних Обраний товар

si3458bdv.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-E3 SI3458BDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3458bdv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-E3 SI3458BDV-T1-E3 Виробник : Vishay si3458bd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-E3 Виробник : VISHAY si3458bdv.pdf SI3458BDV-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.