SI3458BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 24.50 грн |
| 6000+ | 21.85 грн |
| 9000+ | 20.97 грн |
| 15000+ | 19.16 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3458BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SI3458BDV-T1-GE3 за ціною від 21.29 грн до 95.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3458BDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3458BDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3458BDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3458BDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3458BDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3458BDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3458BDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3458BDV-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 10A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 3.3W Case: SC74; TSOP6 Mounting: SMD Pulsed drain current: 10A Gate charge: 11nC Technology: TrenchFET® Drain current: 4.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 128mΩ |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3458BDV-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V |
на замовлення 218492 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3458BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V |
на замовлення 31715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3458BDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI3458BDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 29.13 грн |
| SI3458BDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 29.14 грн |
| SI3458BDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 29.44 грн |
| SI3458BDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 33.22 грн |
| 6000+ | 30.35 грн |
| 12000+ | 28.24 грн |
| SI3458BDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 367+ | 39.94 грн |
| SI3458BDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 53.05 грн |
| SI3458BDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 59.97 грн |
| 16+ | 50.43 грн |
| 25+ | 50.21 грн |
| 50+ | 35.44 грн |
| SI3458BDV-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.3W
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 10A
Gate charge: 11nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: 4.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 128mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3.3W
Case: SC74; TSOP6
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 10A
Gate charge: 11nC
Technology: TrenchFET®
Drain current: 4.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 128mΩ
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 66.75 грн |
| 10+ | 47.71 грн |
| SI3458BDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V
MOSFETs 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V
на замовлення 218492 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.95 грн |
| 10+ | 59.70 грн |
| 100+ | 35.44 грн |
| 500+ | 28.36 грн |
| 1000+ | 25.20 грн |
| 3000+ | 22.50 грн |
| 6000+ | 21.29 грн |
| SI3458BDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 31715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.22 грн |
| 10+ | 57.84 грн |
| 100+ | 38.19 грн |
| 500+ | 27.92 грн |
| 1000+ | 25.37 грн |
| SI3458BDV-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)