Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3458BDV-T1-GE3
SI3458BDV-T1-GE3

SI3458BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Si3458BDV.PDF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.42 грн
6000+21.79 грн
9000+20.91 грн
15000+19.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3458BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції SI3458BDV-T1-GE3 за ціною від 25.30 грн до 94.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Vishay doc69501.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Vishay doc69501.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Vishay doc69501.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Vishay si3458bdv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.01 грн
6000+29.24 грн
12000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Vishay si3458bdv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Vishay si3458bdv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Vishay si3458bdv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.77 грн
16+48.58 грн
25+48.38 грн
50+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 3.3W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.73 грн
10+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix Si3458BDV.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 31715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.94 грн
10+57.67 грн
100+38.08 грн
500+27.84 грн
1000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Vishay Semiconductors Si3458BDV.PDF MOSFETs 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V
на замовлення 218492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Vishay si3458bdv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 doc69501.pdf
SI3458BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 doc69501.pdf
SI3458BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 doc69501.pdf
SI3458BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 si3458bdv.pdf
SI3458BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.01 грн
6000+29.24 грн
12000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 si3458bdv.pdf
SI3458BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
367+38.48 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 si3458bdv.pdf
SI3458BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+51.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 si3458bdv.pdf
SI3458BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+57.77 грн
16+48.58 грн
25+48.38 грн
50+34.15 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
SI3458BDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 3.3W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 128mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+64.73 грн
10+46.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
SI3458BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 31715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.94 грн
10+57.67 грн
100+38.08 грн
500+27.84 грн
1000+25.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
SI3458BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V
на замовлення 218492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 si3458bdv.pdf
SI3458BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.