Продукція > VISHAY > SI3458BDV-T1-GE3
SI3458BDV-T1-GE3

SI3458BDV-T1-GE3 Vishay

si3458bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3458BDV-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SI3458BDV-T1-GE3 за ціною від 19.85 грн до 98.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay doc69501.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay doc69501.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix Si3458BDV.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.37 грн
6000+22.63 грн
9000+21.72 грн
15000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay doc69501.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3458bdv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.61 грн
6000+25.22 грн
12000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3458bdv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
367+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 367
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3458bdv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+39.64 грн
20+35.56 грн
25+35.38 грн
100+31.44 грн
250+28.57 грн
500+24.82 грн
1000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3458bdv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+44.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors Si3458BDV.PDF MOSFETs 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V
на замовлення 218492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.77 грн
10+60.29 грн
100+35.79 грн
500+28.64 грн
1000+25.45 грн
3000+22.72 грн
6000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix Si3458BDV.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 31715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.63 грн
10+59.91 грн
100+39.56 грн
500+28.92 грн
1000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY Si3458BDV.PDF SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.04 грн
40+28.40 грн
108+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 SI3458BDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3458bdv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.